N沟MOSF管IRFR3710Z
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRFR3710Z |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 100（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管BSS84P
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 BSS84P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 60（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
P沟MOSF管IRF7404
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7404 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF7404PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 3.2A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.7AId 时的 Vgs(th)（）700...
