P沟MOSF管IRF7404
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7404 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 4.5（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
| IRF7404PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 40 毫欧 @ 3.2A, 4.5V |
| 20V |
| 6.7A |
| 700mV @ 250µA |
| 50nC @ 4.5V |
| 1500pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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MOSFET - 单场效应管FDB6030BL
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDB6030BL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表FDB6030BL, FDP6030BL标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列PowerTrench®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 2...
P沟MOSF管SI9430DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9933ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表SI9933CDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列-FET 型2 个 P 沟道（双）FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 4.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4AId 时的 Vgs(th...
