MOSFET - 单场效应管FDB6030BL
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FDB6030BL |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 5（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
| FDB6030BL, FDP6030BL |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| PowerTrench® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 18 毫欧 @ 20A, 10V |
| 30V |
| 40A |
| 3V @ 250µA |
| 17nC @ 5V |
| 1160pF @ 15V |
| 60W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| TO-263AB |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管SI9430DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9933ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表SI9933CDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列-FET 型2 个 P 沟道（双）FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 4.8A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4AId 时的 Vgs(th...
N沟MOSF管IRF730AS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF730AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 4.5（V） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF730AS/LPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 3.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5AId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 25V功...
