N沟MOSF管IRF730AS
| 价 格： | 7.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF730AS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 400（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 漏极电流 | 10（mA） |
| 耗散功率 | 25（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF730AS/LPBF |
| D2PAK, TO-263 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 1 欧姆 @ 3.3A, 10V |
| 400V |
| 5.5A |
| 4.5V @ 250µA |
| 22nC @ 10V |
| 600pF @ 25V |
| 74W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 管件 |
| D2PAK |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRF7410
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7410 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 2.5（mW） 数据列表IRF7410GPBF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 16A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续...
放大三极管 BC857，PNP
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BC857 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR数据列表BC856W-858W产品相片UMT3, SOT-323, SC-70标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）45VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）600mV @ 5mA, 100mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)125 @ 2mA, 5V功率 - 200mW频率 - 转换100MHz安装类型表面...
