P沟MOSF管IRF7410
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7410 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 12（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 2.5（mW） |
| IRF7410GPBF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 7 毫欧 @ 16A, 4.5V |
| 12V |
| 16A |
| 900mV @ 250µA |
| 91nC @ 4.5V |
| 8676pF @ 10V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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放大三极管 BC857，PNP
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BC857 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR数据列表BC856W-858W产品相片UMT3, SOT-323, SC-70标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）45VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）600mV @ 5mA, 100mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)125 @ 2mA, 5V功率 - 200mW频率 - 转换100MHz安装类型表面...
P沟MOSF管IRLML5203
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRLML5203 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRLML5203PBF产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C98 毫欧 @ 3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3AId 时的 Vgs(th)（）2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)510pF @ 25V功率 - 1.25W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装Micro3™/SOT-23包装带卷 (TR)
