P沟MOSF管IRLML5203
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRLML5203 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 30（V） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| IRLML5203PBF |
| SOT-23-3 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 98 毫欧 @ 3A, 10V |
| 30V |
| 3A |
| 2.5V @ 250µA |
| 14nC @ 10V |
| 510pF @ 25V |
| 1.25W |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Micro3™/SOT-23 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF1010ZS
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF1010ZS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 2840（pF） 漏极电流 7500（mA） 耗散功率 14000（mW）
N沟MOSF管IRF634S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF634S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF634S, SiHF634S标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧...
