N沟MOSF管IRF1010ZS
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | INR美德国际整流器件 | 型号/规格 | IRF1010ZS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 2840（pF） | 漏极电流 | 7500（mA） |
| 耗散功率 | 14000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF634S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF634S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF634S, SiHF634S标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C450 毫欧...
2SB709A放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SB709A 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 80（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
