2SB709A放大三极管
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SB709A |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 45（V） |
| 集电极允许电流ICM | 0（A） | 集电极耗散功率PCM | 0（W） |
| 截止频率fT | 80（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
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N沟MOSF管SI4840DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4840DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 5（V） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表SI4840DY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V在 Vd...
N沟MOSF管RFR3505
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR3505 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 2030（pF） 漏极电流 300（mA） 耗散功率 1400（mW） 数据列表IRFR3505PbF, IRFU3505PbF产品相片DPAK Pkg标准包装75类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ ...
