N沟MOSF管SI4840DY
| 价 格： | 7.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4840DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 40（V） | 夹断电压 | 5（V） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| SI4840DY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| TrenchFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 9 毫欧 @ 14A, 10V |
| 40V |
| 10A |
| 3V @ 250µA |
| 28nC @ 5V |
| - |
| 1.56W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管RFR3505
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFR3505 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 2030（pF） 漏极电流 300（mA） 耗散功率 1400（mW） 数据列表IRFR3505PbF, IRFU3505PbF产品相片DPAK Pkg标准包装75类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C13 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ ...
N沟MOSF管FDB6670S,FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FDB6670S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 10（V） 夹断电压 30（V） 跨导 0（μS） 极间电容 2440（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 6000（mW）
