N沟MOSF管RFR3505
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRFR3505 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 2030（pF） | 漏极电流 | 300（mA） |
| 耗散功率 | 1400（mW） |
| IRFR3505PbF, IRFU3505PbF |
| DPAK Pkg |
| 75 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 13 毫欧 @ 30A, 10V |
| 55V |
| 4V @ 250µA |
| 93nC @ 10V |
| 30A |
| 2030pF @ 25V |
| 140W |
| 表面贴装 |
| DPak, SC-63,TO-252(2引线+接片) |
| 管件 |
| *IRFR3505PBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管FDB6670S,FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FDB6670S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 10（V） 夹断电压 30（V） 跨导 0（μS） 极间电容 2440（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 6000（mW）
N沟MOSF管IRL2703S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRL2703S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 4.5（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRL2703SPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24AId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电...
