| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRL2703S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 30(V) |
| 夹断电压 | 1(V) | 跨导 | 1(μS) |
| 极间电容 | 4.5(pF) | 低频噪声系数 | 1(dB) |
| 漏极电流 | 10(mA) | 耗散功率 | 25(mW) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRL2703SPbF |
| D2PAK, TO-263 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 40 毫欧 @ 14A, 10V |
| 30V |
| 24A |
| 1V @ 250µA |
| 15nC @ 4.5V |
| 450pF @ 25V |
| 45W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
品牌/商标 其他 型号/规格 IRF510S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 25(V)
品牌/商标 其他 型号/规格 IRL3713S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30(V)