N沟MOSF管IRL3713S
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRL3713S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 30（V） |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRFR220
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR220 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 2.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8...
DTA124达林顿三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 DTA124 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346数据列表PDTA124T产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 Package TopPDTA1xxTx Series Circuit标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列-晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）50V电阻器 - 基极 (R1)（欧）22K电阻器 - 发射极 (R2)（欧）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA, 5VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）150mV @ 500µA, 10mA电流 - 集电极截止（）1µA频率 - 转换-功率 - 250mW安装类型表...
