P沟MOSF管IRFR220
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFR220 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 200（V） |
| 夹断电压 | 25（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET
| TO-252-2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 800 毫欧 @ 2.9A, 10V |
| 200V |
| 4.8A |
| 4V @ 250µA |
| 14nC @ 10V |
| 260pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 管件 |
| D-Pak |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
DTA124达林顿三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 DTA124 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346数据列表PDTA124T产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 Package TopPDTA1xxTx Series Circuit标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列-晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）50V电阻器 - 基极 (R1)（欧）22K电阻器 - 发射极 (R2)（欧）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA, 5VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）150mV @ 500µA, 10mA电流 - 集电极截止（）1µA频率 - 转换-功率 - 250mW安装类型表...
MMBT3906放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT3906 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 集电极允许电流ICM 200m（A） 集电极耗散功率PCM 200m（W） 营销方式 现货 产品性质 新品 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current -Continuous 200 mAPC Total Device Dissipation 200 mWRθJA Thermal Resistance Junct...
