N沟MOSF管IRF510S
| 价 格： | 6.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF510S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 25（V） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRL3713S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRL3713S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V）
P沟MOSF管IRFR220
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR220 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 25（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 2.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.8...
