22A,600V N通道功率MOSFET
由于SMPS MOSFET,UTC22N60使用UTC先进的技术,提供优良的RDS(ON),低门
低栅极电压充电和操作。这个装置是适合作为负荷开关或PWM应用。
HEXFET功率MOSFET由于开关电源MOSFET,UTC22N65使用UTC的先进技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低栅极电压的操作。这个装置是适合作为负荷开关或PWM应用
24A,500V N通道功率MOSFETUTC24N50是一个N通道模式下的功率MOSFET.UTC的先进技术,为客户提供平面条纹和DMOS技术。这项技术使状态性和出色的开关性能。它还可以承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。UTC24N50是普遍适用于高效率的开关模式电源,有源功率因数校正和电子灯镇流器半桥拓扑结构的基础上。