HEXFET功率MOSFET
由于开关电源MOSFET,UTC22N65使用UTC的先进技术,提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和低栅极电压的操作。这个装置是适合作为负荷开关或PWM应用
24A,500V N通道功率MOSFETUTC24N50是一个N通道模式下的功率MOSFET.UTC的先进技术,为客户提供平面条纹和DMOS技术。这项技术使状态性和出色的开关性能。它还可以承受高能量脉冲在雪崩和通讯模式。UTC24N50是普遍适用于高效率的开关模式电源,有源功率因数校正和电子灯镇流器半桥拓扑结构的基础上。
25A,60V的N通道功率MOSFETUTC25N06是一个N沟道增强型功率MOSFET,提供低门电荷,雪崩崎岖技术等。UTC25N06是普遍适用的DC-DC和DC-AC转换器,电机控制,高电流,高开关速度快,电磁阀和继电器驱动器,稳压器,音频放大器,汽车环境。