N沟MOSF管FDB6670S,FAIRCHILD
| 价 格： | 3.50 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FDB6670S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 开启电压 | 10（V） |
| 夹断电压 | 30（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 2440（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 800（mA） | 耗散功率 | 6000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRL2703S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRL2703S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 4.5（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRL2703SPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C40 毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C24AId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电...
N沟MOSF管IRF510S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF510S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 25（V）
