N沟MOSF管IRF634S
| 价 格： | 6.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF634S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 250（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF634S, SiHF634S |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 450 毫欧 @ 5.1A, 10V |
| 250V |
| 8.1A |
| 4V @ 250µA |
| 41nC @ 10V |
| 770pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
- 所属城市：广东 深圳
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2SB709A放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SB709A 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 80（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
N沟MOSF管SI4840DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4840DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 5（V） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表SI4840DY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10AId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 5V在 Vd...
