放大三极管 BC857，PNP
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | BC857 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 45（V） |
| 集电极允许电流ICM | 0（A） | 集电极耗散功率PCM | 0（W） |
| 截止频率fT | 100（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR
| BC856W-858W |
| UMT3, SOT-323, SC-70 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| PNP |
| 100mA |
| 45V |
| 600mV @ 5mA, 100mA |
| - |
| 125 @ 2mA, 5V |
| 200mW |
| 100MHz |
| 表面贴装 |
| SC-70, SOT-323 |
| SC-70 |
| 带卷 (TR) |
| 568-6088-2 934021830115 BC857W T/R BC857W T/R-ND BC857W,115-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRLML5203
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRLML5203 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRLML5203PBF产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C98 毫欧 @ 3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3AId 时的 Vgs(th)（）2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)510pF @ 25V功率 - 1.25W安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装Micro3™/SOT-23包装带卷 (TR)
N沟MOSF管IRF1010ZS
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF1010ZS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 2840（pF） 漏极电流 7500（mA） 耗散功率 14000（mW）
