P沟MOSF管SI9430DY
| 价 格： | 2.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9933ADY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| SI9933CDY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| - |
| 2 个 P 沟道（双） |
| 标准型 |
| 58 毫欧 @ 4.8A, 4.5V |
| 20V |
| 4A |
| 1.4V @ 250µA |
| 26nC @ 10V |
| 665pF @ 10V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF730AS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF730AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 4.5（V） 漏极电流 10（mA） 耗散功率 25（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF730AS/LPBF产品相片D2PAK, TO-263标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 3.3A, 10V漏极至源极电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5AId 时的 Vgs(th)（）4.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 25V功...
P沟MOSF管IRF7410
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7410 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 2.5（mW） 数据列表IRF7410GPBF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 16A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)12V电流 - 连续...
