放大三极管MMBTA28
| 价 格： | 0.60 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBTA28 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 80（V） |
| 截止频率fT | 125（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR3704PBF. IR
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR3704PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR3704PbF, IRFU3704PbF产品相片TO-252-2标准包装75类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 15A, 1...
N沟MOSF管IRFR3710Z
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFR3710Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
