P沟MOSF管IRF7314，优质场效应管
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7314 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| IRF7314PbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 4,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| HEXFET® |
| 2 个 P 沟道（双） |
| 逻辑电平门 |
| 58 毫欧 @ 2.9A, 4.5V |
| 20V |
| 5.3A |
| 700mV @ 250µA |
| 29nC @ 4.5V |
| 780pF @ 15V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SO |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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- 电话：755-83260808
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P沟MOSF管SI9933ADY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9424DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
放大三极管MMBTA28
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA28 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 80（V） 截止频率fT 125（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
