S8050.SOT-23.TO-92放大三极管
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | S8050 |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 25（V） | 集电极允许电流ICM | 1.5（A） |
| 截止频率fT | 100（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NA Small Signal Transistors PNP General Purpos
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N沟MOSF管IRFR024N
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 25（V） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟数据列表IRF(R,U)024NPbF产品相片TO-252-2产品目录绘图IR Hexfet DPak标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 10A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)370pF @ 25V功率 - 45W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片)...
放大三极管2SD602，质优价廉量大从优
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SD602 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 200（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANS NPN GP AMP 50VCEO MINI 3P数据列表2SD0602A View all Specifications产品相片MINI3SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST32SB07920SL产品目录绘图Transistor Mini 3-Pin标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）500mA电压 - 集电极发射极击穿（）50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）600mV @ 30mA, 300mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)85 @ 150mA, 10V功率 - 200mW频率 - 转换200MHz安装类型表面贴装封装/外壳迷你型3-G1（SC-59）供...
