MMBT2369. SOT-23放大三极管
| 价 格： | 0.15 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBT2369 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 15（V） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NA Small Signal Transistors PNP General Purpos
| PN2369A, MMBT2369A |
| SOT-23-3 |
| Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Transistor SOT-23-3 Package |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 200mA |
| 15V |
| 500mV @ 10mA, 100mA |
| - |
| 40 @ 10mA, 1V |
| 225mW |
| - |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SOT-23 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管IRF7406
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7406 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 1（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, P沟MOSFET数据列表IRF7406PbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 2.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V...
N沟MOSF管IRF1010NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF1010NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） 跨导 11（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 25（mA） 耗散功率 10（mW）
