N沟MOSF管SI9926BDY
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9926BDY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 20（V） |
| 夹断电压 | 1.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, N沟MOSFET
| SI9926BDY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| TrenchFET® |
| 2 个 N 沟道（双） |
| 逻辑电平门 |
| 20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V |
| 20V |
| 6.2A |
| 1.5V @ 250µA |
| 20nC @ 4.5V |
| - |
| 1.14W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管SI4410DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4410DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
MMBT2369. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT2369 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 15（V） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表PN2369A, MMBT2369A产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）200mA电压 - 集电极发射极击穿（）15VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 10mA, 100mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 10mA, 1V功率 - 225mW频率 - 转换-安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23包装带卷 (TR)
