N沟MOSF管IRFZ24VS
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | Federick美国 | 型号/规格 | IRFZ24VS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 10（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 漏极电流 | 100（mA） | 耗散功率 | 100（mW） |
| IRFZ24VSPbF, IRFZ24VLPbF |
| D2PAK Pkg |
| D2Pak Side |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 60 毫欧 @ 10A, 10V |
| 60V |
| 4V @ 250µA |
| 23nC @ 10V |
| 17A |
| 590pF @ 25V |
| 44W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 管件 |
| 1376 (CN091-10 PDF) |
| *IRFZ24VSPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管RFR5505增强型MOS管P沟道
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5505 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
N沟MOSF管SI9926BDY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9926BDY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 1.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表SI9926BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型2 个 N 沟道（双）FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 8.2A, 4.5V漏极至源极电压(...
