| 价 格: | 4.85 | |
| 品牌: | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号: | 2SK2611 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压: | 8(V) | |
| 夹断电压: | 6(V) | |
| 跨导: | 9(μS) | |
| 极间电容: | 5(pF) | |
| 低频噪声系数: | 45(dB) | |
| 漏极电流: | 6(mA) | |
| 耗散功率: | 6(mW) |
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主要应用范围:变频器,逆变器,UPS电源,电机控制,变焊机,工业传动装置,电梯或辅助传动设备,机车与列车用电源,电能表,HID照明,功放.舞台设备等产品.
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