场效应管SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | SSF2N60 | |
| 品牌/商标： | 韩国索森美 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | 中功率 |
深圳市三资半导体有限公司供应2N60|2N60图片|SSF2N60|SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案|2N60设计指导|2N60参数SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数，地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售
SSF2N60产品参数：
型号:SSF2N60 封装:TO-220
主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）应用领域: 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 产品功能： 功率MOSEFT—2N60 2A，600V N沟道 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快 的开关速度，极低栅电荷，最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V； · 极低栅电荷，典型9nC； ·极低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力； · 增强的dV/di能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252 · 结温 150 ℃ 产品图片：
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三资半导体主要优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、SSF10N60 SSF12N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、MBR10100、MBR10200、MBR10150、MBR20100、MBR20150、MBR20200、MBR30100、MBR30150、MBR30200.等。
优势品牌：SOURCESEMI韩国索森美 MHCHXM海矽美 美国IPS CR/西安民展微FAIRCHILD IR ST TRUESEMI FAIRCARD POWER-RAIL PANJIT MOSPEC LT YS等
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