价 格: | 9.50 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP4710 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 72A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 14 毫欧 @ 45A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6160pF @ 25V
功率 - 190W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 TO-247AC
包装 散装
产品目录页面 1519 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFP4710PBF
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:9.3A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):300mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:82W封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:82W功耗:82W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:9.3A热阻, 结至外壳 A:1.83°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:37A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V
数据列表 IRFR9120NPbF, IRFU9120NPbF 产品相片 DPAK_369D−01 标准包装 75类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.6A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 480 毫欧 @ 3.9A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 其它名称 *IRFU9120NPBF