供应 IC 芯片IRF630N原装进口
| 价 格： | 1.36 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF630N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:9.3A
- 电压, Vds :200V
- 在电阻RDS（上）:300mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:82W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:82W
- 功耗:82W
- 封装类型:TO-220AB
- 漏极电流, Id 值:9.3A
- 热阻, 结至外壳 A:1.83°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电压, Vgs :4V
- 电流, Idm 脉冲:37A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th :4V
结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
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供应 IC 芯片IRFU9120NPBF原装进口
信息内容：数据列表 IRFR9120NPbF, IRFU9120NPbF 产品相片 DPAK_369D−01 标准包装 75类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.6A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480 毫欧 @ 3.9A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 350pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB 供应商设备封装 I-Pak 包装 管件 其它名称 *IRFU9120NPBF
