269-3耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 1.50 |
| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | 269-3 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
本商行代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.SMD贴片元件.IGBT.电源模块．可控硅．MOS管.基准电源．军工高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务.
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IRFS23N20D 场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 24A
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 IR 型号/规格 IRFS23N20D IRFS23N20D 原装现货 详见PDF WWW.SJCX-IC.COM晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:24A电压, Vds :200V在电阻RDS（上）:100mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)SMD标号:FS23N20D功率, Pd:3.8W功耗:3.8W功耗(于1平方英寸PCB):3.8W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK总功率, Ptot:38W晶体管类型:漏极电流, Id 值:24A热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:200V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :5.5V电流, Idm 脉冲:96A表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :5.5V
场效应 IRLR8715CTRLPBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR8715CTRLPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
