IR场效应 IR2106(MOS管)
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IR2106 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 原厂规格（V） | 夹断电压 | 原厂规格（V） |
| 低频跨导 | 原厂规格（μS） | 极间电容 | 原厂规格（pF） |
| 低频噪声系数 | 原厂规格（dB） | 漏极电流 | 原厂规格（mA） |
| 耗散功率 | 原厂规格（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR场效应 IRF730PBF，增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF730PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 原厂规格（V） 夹断电压 原厂规格（V） 低频跨导 原厂规格（μS） 极间电容 原厂规格（pF） 低频噪声系数 原厂规格（dB） 漏极电流 原厂规格（mA） 耗散功率 原厂规格（mW）
AON5802AL场效应(MOS管)
信息内容：品牌/商标 AOS 型号/规格 AON5802AL 封装 DFN2X5 批号 09+ 营销方式 现货 产品性质 热销 集成程度 中规模 规格尺寸 原厂规格（mm） 工作温度 原厂规格（℃） 静态功耗 原厂规格（mW） 类型 其他IC 广源电子产品均为原装、质量保证欢迎订购咨询0755-82811508/82811776型号封装型号封装AOB416TO-263IRF5800TRPBFTSOP-6 AOB414TO-263IRF5803TRPBFTSOP-6 AOB420TO-263IRF5851TRPBFTSOP-6 AOB420TO-263IRF5852TRTSOP-6 AOD466TO-252SI3443DVTRPBFTSOP-6 AOD488TO-252IR5001SSOIC-8 AOD452TO-252IR5001STRSOIC-8 AOD4120TO-252IRF1902TRPBFSO-8 AOD456ATO-252IRF6217TRSO-8AOD456(P)TO-252IRF7103TRSO-8 AOD436TO-252IRF7104TRPBFSO-8 AOD436TO-252IRF73...
