供应IR2113-1 光耦场效应管绝缘垫光耦场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IR2113-1 | |
| 品牌/商标： | ir | |
| 环保类别： | 无铅环保型 |
开关电源采用（IR2113）和内部结构和特点及应用
美国IR公司生产的IR2113驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的品种。
IR2110、IR2112、IR2113内部结构和特点：
IR2113采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=±50V/ns，15V下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V的偏移量；工作频率高，可达500kHz；开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns；图腾柱输出峰值电流为2A。
IR2113的内部功能框图如图1所示。由三个部分组成：逻辑输入，电平平移及输出保护。如上所述IR2113的特点，可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的成功设计，可以大大减少驱动电流
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信息内容：供应40V,35A,N-Ch增强型场效应MOS管AOD4186 AOD4186N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The AOD4186 combines advanced trench MOSFETtechnology with a low reSIStance package to provideextremely low RDS(ON). This device is ideal for lowvoltage inverter applicatioNS.
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信息内容：供应500V,50A N-CH MOSFET管K1522 trr = 120 ns, 500V,50A N-CH MOSFET管K1837 trr = 620 ns ApplicationHigh speed power switchingFeatures· Low on-resistance· High speed switching· Low drive current· Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns)· Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter IGBT管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。 综上所述，内含阻...
