供应40V,35A,N-Ch增强型场效应MOS管D4186
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AOD4186,D4186 | |
| 品牌/商标： | AOSMD | |
| 封装形式： | TO-252 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特征： | |
供应40V,35A,N-Ch增强型场效应MOS管AOD4186
AOD4186
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
The AOD4186 combines advanced trench MOSFET
technology with a low reSIStance package to provide
extremely low RDS(ON). This device is ideal for low
voltage inverter applicatioNS.
- 所属城市：广东 深圳
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供应500V,50A N-CH MOSFET管K1522
信息内容：供应500V,50A N-CH MOSFET管K1522 trr = 120 ns, 500V,50A N-CH MOSFET管K1837 trr = 620 ns ApplicationHigh speed power switchingFeatures· Low on-resistance· High speed switching· Low drive current· Built-in fast recovery diode (trr = 120 ns)· Suitable for motor control, switching regulator, DC-DC converter IGBT管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。 综上所述，内含阻...
供应500V,20A N-Ch MOS场效应管FB20N50K
信息内容：主要参数： dzsc/17/7760/17776018.jpg 额定值： dzsc/17/7760/17776018.jpg IGBT管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。 综上所述，内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。 dzsc/17/7760/17776018.jpg 如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际...
