供应500V,20A N-Ch MOS场效应管FB20N50K
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | FB20N50K,FB18N50K,IRFB20N50K,IRFB18N50K | |
| 品牌/商标： | IR | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
主要参数：
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额定值：
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IGBT管的万用表检测方法
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下， IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 ． 5V 。
综上所述，内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
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如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。
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供应30V,6A DUAL P-CH MOS场效应管P06B03LVG
信息内容：特点： dzsc/17/7760/17776019.jpg 参数： dzsc/17/7760/17776019.jpg
供应60V,3A P-CH MOS场效应管J182 TO-252
信息内容：60V,3A P-CH MOS场效应管J182 2SJ182(S)TO-252 2SJ182(L) TO-251 Silicon P-Channel MOS FET ApplicatiONHigh speed power switchingFeatures• Low on-resistance• High speed switching• Low drive current• 4 V gate drive device Can be driven from 5 V source• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive 封装： dzsc/17/7760/17776021.jpg 参数：
