IRFS23N20D 场效应管 MOSFET N D2-PAK 200V 24A
| 价 格： | 3.00 |
| 种类 | 场效应管 | 品牌/商标 | IR |
| 型号/规格 | IRFS23N20D |
IRFS23N20D 原装现货 详见PDF WWW.SJCX-IC.COM
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:24A
- 电压, Vds :200V
- 在电阻RDS（上）:100mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
- 封装类型:D2-PAK
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- SMD标号:FS23N20D
- 功率, Pd:3.8W
- 功耗:3.8W
- 功耗(于1平方英寸PCB):3.8W
- 封装类型:D2-PAK
- 封装类型, 替代:D2-PAK
- 总功率, Ptot:38W
- 晶体管类型:
- 漏极电流, Id 值:24A
- 热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:200V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电压, Vgs :5.5V
- 电流, Idm 脉冲:96A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th :5.5V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 赵远明
- 电话：0755-82723789
- 传真：0755-82723789
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场效应 IRLR8715CTRLPBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR8715CTRLPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
IRF5305SPBF - 场效应管 MOSFET P D2-PAK
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 IR 型号/规格 IRF5305S dzsc/18/5873/18587337.jpg描述晶体管极性:P通道电流, Id 连续:31A电压, Vds :55V在电阻RDS（上）:60mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)SMD标号:F530S功率, Pd:110W功耗:110W功耗(于1平方英寸PCB):3.8W外宽:10.54mm外部深度:15.49mm外部长度/高度:4.69mm封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK晶体管数:1晶体管类型:温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:-31A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:-55V电压, Vgs :-4V电流, Idm 脉冲:110A结温, Tj :-55°C结温, Tj :175°C表面安装器件:表面安装
