价 格: | 10.00 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | IP2003ATRPBF | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
dzsc/19/0096/19009656.jpg
dzsc/19/0096/19009656.jpg
dzsc/19/0096/19009656.jpg
dzsc/19/0096/19009656.jpg
世界功率管理技术国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出一款经过全面优化的功率组合模块解决方案——iPOWIR iP2003A。它适用于3V到13.2V输入电压范围的大电流多相位同步降压转换器,是专门为服务器、台式电脑及数据通信系统中的低压电源线而设计的。
作为iPOWIR系列的新成员,iP2003A成功地把硅和无源元件集成到一个紧凑型栅阵列(LGA)封装中。集成硅片中包含同步栅极驱动器、高端和低端功率MOSFET及一个同步肖特基整流器,可有效降低死区时间损耗。该器件能在1MHz工作,提供40A的额定持续输出电流,可全功率工作直至100°C的温度条件。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“iP2003A与标准的分立式解决方案不同,它能在1MHz下工作,并可凭借更小型的输出滤波器,大大改善瞬态性能,节省电路板面积和降低系统成本。”
一个内含四颗iP2003A的四相转换器如果配合标准的多相脉宽调制(PWM)控制器,可提供160A输出电流,与采用热强化型SO-8封装的功率MOSFET同类解决方案相比,它可以节省55%的电路板空间。
此外,iP2003A集成了转换器每相位所需的主要功率和无源元件,与标准的分立式方案相比,整体设计更加简化,还缩短了绘制电路时间。要实现完整的解决方案,只需加入外部PWM控制器、输入和输出电容、输出电感即可。
iP2003A采用专利封装技术,其双面冷却能力可以通过极低的结点到外壳及结点到印刷电路板的热阻实现的电流处理。
iP2003A的基本规格如下:
产品编号封装输入电压输出电压输出电流频率
iP2003ATR 9mm x 11mm x 2.2mm LGA 3.0V至13.2V 0.8V至3.3V 40A 300kHz至1MHz
IR可以提供以下设计辅助工具和应用参考资料:
参考设计
IRDCiP2003A-C:用iP2003A设计1MHz、160A同步降压转换器
AN-1028:IR iPOWIR技术BGA与LGA封装的推荐设计、集成及重做指南
数据列表 IRG4PSC71KD 产品相片 SUPER-247 Pkg 标准包装 25类别 分离式半导体产品 家庭 IGBT - 单路 系列 -IGBT 类型 - 电压 - 集电极发射极击穿() 600V Vge, Ic时的Vce(开) 2.3V @ 15V, 60A 电流 - 集电极 (Ic)() 85A 功率 - 350W 输入类型 标准型 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-274AA 供应商设备封装 SUPER-247 (TO-274AA) 包装 散装 其它名称 *IRG4PSC71KD
数据列表 IRFZ46NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 16.5 毫欧 @ 28A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 53A Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 72nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1696pF @ 25V 功率 - 107W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "