MC33375ST-5.0T3G耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 0.08 |
| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MC33375ST-5.0T3G |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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长期 TIP122 TIP127 达林顿晶体管
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 TIP122 应用范围 达林顿 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1（MHz） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 营销方式 代理 产品性质 热销 TIP31CTIP32CTIP41CTIP42CTIP102TIP107TIP122TIP127TIP132TIP137TIP142TTIP147TBT136-600E/DBT137-600E/DBT138-600E/800EBT139-600E/800EBT137X-600FBT138X-600FBT139X-600FBT151-500R/600RBT151-600RBT152-600R/6...
长期代应 3SK177耗尽型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 NEC 型号/规格 3SK177 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 2SC51832SC51842SC51912SC51922SC51932SC51932SC52882SC55072SD1383K2SJ5742SK32403SK1313SK134B3SK135A3SK176A3SK1773SK2223SK2233SK2243SK2303SK2313SK2343SK2423SK2433SK2453SK2463SK2463SK252E3SK2...
