| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQD18N20V2 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
| 跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
| 低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
| 耗散功率 | 1(mW) |
FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
完整型号:
FQA18N50V2
FQP18N50V2
FQPF18N50V2
FQD18N20V2TM
FQPF18N20V2
FQP18N20V2
FQU18N20V2
FQD18N20V2
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251,TO-220
年份: 09+
数量: 300000
最小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD18N20V2 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术,特别是针对已
尽量减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于如汽车,高低压应用
效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.15A,200V,RDS(on)=0.14Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷(典型值20nC)
3.低Crss(25 pF的典型)
4,快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力
FQD13N10 100V的N沟道MOSFET
完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09+
数量: 300000
最小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术,特别是针对已
尽量减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中,
高效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A,100V,RDS(上)=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷(典型值12nC)
3.低Crss(20 pF的典型)
4.快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力
| FQD60N03LTM |
| FQD13N06LTM |
| FQD1N80TM |
| FQD13N06L |
| FQD20N06 |
| FQD2N60CTM |
| FQD10N20LTM |
| FQD12P10 |
| FQD1N80TM |
| FQD5N50CTM |
| FQD630TM |
| FQD7N10TM |
| FQD5N40 |
| FQD7N10TF |
| FQD9N25 |
| FQD10N20TM |
| FQD3N60CTM |
| FQD3P50TM |
| FQD6N25TM |
| FQD7N10 |
| FQD18N20V2TM |
| FQD4N25 |
| FQD6N60C |
| FQD6P25TF |
| FQD4N50TM |
| FQD1N60TM |
| FQD20N06LTM |
| FQD3N25 |
| FQD11P06TF |
| FQD14N15 |
| FQD19N10TF |
| FQD1N20 |
| FQD1N50B |
| FQD1N90 |
| FQD1P50 |
| FQD24N08TM |
| FQD2N40 |
| FQD2N60C |
| FQD2N80 |
| FQD30N06LTM |
| FQD3N50C |
| FQD45N03L |
| FQD5N50F |
| FQD5P20 |
| FQD6N25TF |
| FQD7P20TF |
| FQD9N08 |
| FQD9N08L |
| FQD1N60TM |
| FQD20N06LTM |
| FQD4N25 |
| FQD6P25TF |
| FQD10N10 |
| FQD16N25CTM |
| FQD17N10 |
| FQD2N50 |
| FQD2P25 |
| FQD2P40 |
| FQD3N40 |
| FQD3N60C |
| FQD3N60TF |
| FQD3P20TM |
| FQD3P50TF |
| FQD4N20LTF |
| FQD4P40 |
| FQD5N30TM |
| FQD5N60C |
| FQD5P10 |
| FQD5P10TF |
| FQD60N03L |
| FQD6N40CTM |
| FQD7N10LTM |
| FQD7N20L |
| FQD85N06 |
| FQD8P10 |
| FQD5N40 |
| FQD10N20CTF |
| FQD10N20TF |
| FQD11N20LTM |
| FQD12P10TF |
| FQD13N10TM |
| FQD16N15 |
| FQD17N08 |
| FQD19N10L |
| AZ1117H-ADJTRE1 |
| AZ1085D-ADJTRE1 |
| AZ1117D-1.5TRE1 |
| AZ1117R-1.8TRE1 |
| AZ1086S-2.5TRE1 |
| AZ1117BH-1.8TRE1 |
| AZ1117D-2.5TRE1 |
| AZ1117H-1.2TRE1 |
| AZ1117H-1.5TR |
| AZ1117H-2.5TRE1 |
| AZ1117H-2.85TR |
| AZ1117H-2.85TRE1 |
| AZ1117H-3.3TRE1 |
| AZ1117R-3.3TR |
| AZ1084S-3.3TRE1 |
| AZ1117R-ADJTR |
| AZ1084D-3.3TRE1 |
| AZ1084S-ADJTRE1 |
| AZ1117BH-2.5TRE1 |
| AZ1117BH-ADJTRE1 |
| AZ1117D-3.3TRE1 |
| AZ1117D-5.0TRE1 |
| AZ1117H-1.5TRE1 |
| AZ1117H-1.8TR |
| AZ1117H-2.5TR |
| AZ1117R-2.5TR |
| AZ1117R-2.5TRE1 |
| AZ1117R-3.3TRE1 |
| AZ1117S-5.0TRE1 |
| AZ1084D-ADJTRE1 |
| AZ1117D-1.5TRE1 |
| AZ1117H-1.8TRE1 |
| AZ1117H-5.0TR |
| AZ1117LD-ADJ |
| AZ1117R-1.5TR |
| AZ1084S2-3.3TRE1 |
| AZ1086S-1.8TRE1 |
| AZ1086S-3.3TRE1 |
| AZ1117D-ADJ |
| AZ1117H-1.2TR |
| AZ1117H-5.0TRE1 |
| AZ1117R-5.0TR |
| AZ1117H-3.3TR |
| AZ1085D-3.3TRE1 |
| AZ1117H-ADJTRE1 |
| AZ1117BH-3.3TRE1 |
| AZ1117D-1.2TRE1 |
| AZ1117D-1.8TRE1 |
| AZ1117H-ADJTR |
| AZ1117R-1.8TR |
| AZ1117R-5.0TRE1 |
| AZ1117R-ADJTRE1 |
| FQD1N30TM |
| FQD1N50TF |
| FQD3N30TM |
| FQD4N40 |
| FQD4N50 |
| FQD4P25TM |
| AZ1084D-2.5TRE1 |
| AZ1085D-ADJTRE1 |
| AZ1085S-3.3TRE1 |
| AZ1117S-ADJTRE1 |
| FQD5N15 |
| FQD5N20L |
| FQD5N50CTF |
| FQD5N50TM |
| FQD6N15 |
| FQD6N50CTF |
| FQD7P06 |
| FQD8N25TF |
| FQD9N15 |
| FQD13N06LTM |
| FQD18N20V2TM |
| FQD1N80 |
| FQD3N25 |
| FQD7N10TF |
| FQD13N10LTF |
| FQD17N08L |
| FQD17P06TF |
| FQD1N40 |
| FQD1N60CTM |
| FQD20N06L |
| FQD2N90 |
| FQD3P20 |
| FQD4N20TM |
| FQD4P25 |
| FQD5N20 |
| FQD5P20TM |
| FQD630 |
| FQD6N40 |
| FQD6P25TM |
| FQD7N20 |
| FQD10N20LTM |
| FQD12P10 |
| FQD1N80 |
| FQD6N60C |
| FQD9N25 |
| TN0205A-T1 |
| TN0104N8-G |
| SGM1N60 |
| SGM2N60UF |
| SFW9510 |
| FQB8P10 |
| FQB5P10 |
| FQB47P06 |
| FQB27P06 |
| FQB17P06 |
| FQB11P06 |
| FQB7P06 |
| SFW2955 |
| SFW9Z34 |
| SFW9Z24 |
| SFW9Z14 |
| FDB6020P |
| NDB6020P |
| FDB4020P |
| FDD6512A |
| FDD6530A |
| FDD3706 |
| HUF76009D3S |
| FDD044AN03L |
| FDD8870 |
| FDD6670AL |
| FDD6688 |
| FDD8874 |
| FDD068AN03L |
| FDD8896 |
| FDD6606 |
| ISL9N306AD3ST |
| FDD6682 |
| ISL9N307AD3ST |
| ISL9N308AD3ST |
| FDD6676 |
| FDD6672A |
| FDD6670A |
| FDD6696 |
| FDD8876 |
| FDD6644 |
| FDD6296 |
| FDD6680 |
| ISL9N310AD3ST |
| FDD6692 |
| FDD6035AL |
| FDD6030L |
| FDD8878 |
| ISL9N315AD3ST |
| FDD6030BL |
| HUF76129D3S |
| FQD45N03L |
| ISL9N318AD3ST |
| FDD6612A |
| FQD60N03L |
| HUF76121D3S |
| ISL9N327AD3ST |
| FDD6630A |
| HUF76107D3S |
| FDD6688S |
| FDD6632 |
| FDD6676S |
| FDD6644S |
| FDD6670S |
| FDD6680S |
| FDD6690S |
| RFD16N05LSM |
| RFD14N05LSM |
| HUF75329D3S |
| HUFA75329D3S |
| HUF75321D3S |
| HUFA75321D3S |
| HUF75309D3S |
| HUFA75309D3S |
| HUFA75307D3S |
| RFD16NO6LESM |
| FDD10AN06A0 |
| FDD14AN06LA0 |
| FDD13AN06A0 |
| FDD5680 |
| HUF76429D3S |
| HUFA76429D3S |
| FDD5690 |
| HUF76423D3S |
| HUFA76423D3S |
| FDD45AN06LA0 |
| HUF76419D3S |
| HUFA76419D3S |
| FQD30N06L |
| FQD30N06 |
| HUFA76413D3S |
| FDD5612 |
| FQD20N60 |
| FQD20N60L |
| FQD20N60LE |
| HUFA76409D3S |
| RFD12N06RLESM |
| FDD107AN06LA0 |
| HUF76407D3S |
| HUFA76407D3S |
| FQD13N06 |
| FQD13N06L |
| RFD3055SM |
| FDD16AN08A0 |
| FDD3570 |
| FDD3580 |
| FQD24N08 |
| FQD17N08L |
| IRLR130A |
| IRLR120A |
| IRLR110A |
| FDD3672 |
| FDD3670 |
| FDD3682 |
| FDD3680 |
| HUF76629D3S |
品牌/商标 ON 型号/规格 MC33375ST-5.0T3G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 TIP122 应用范围 达林顿 功率特性 大功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1(MHz) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 营销方式 代理 产品性质 热销 TIP31CTIP32CTIP41CTIP42CTIP102TIP107TIP122TIP127TIP132TIP137TIP142TTIP147TBT136-600E/DBT137-600E/DBT138-600E/800EBT139-600E/800EBT137X-600FBT138X-600FBT139X-600FBT151-500R/600RBT151-600RBT152-600R/6...