现货 FDS6680AS耗尽型MOS管N沟道
| 价 格： | 0.08 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FDS6680A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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现货 FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQD18N20V2 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） FQD18N20V2 200V,N沟道MOSFET完整型号:FQA18N50V2FQP18N50V2FQPF18N50V2FQD18N20V2TMFQPF18N20V2FQP18N20V2FQU18N20V2FQD18N20V2品牌: FAIRCHILD封装: SOT-252,TO-251,TO-220年份: 09+数...
MC33375ST-5.0T3G耗尽型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MC33375ST-5.0T3G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
