MOS管 三极管 场效应 IRFZ46N IRFZ46NPbF IRFZ46NS IRFZ46
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFZ46N | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRFZ46NPbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 16.5 毫欧 @ 28A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 53A
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 72nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1696pF @ 25V
功率 - 107W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应IRFIB7N50A IRFIB7N50APBF IRFIB7N50
信息内容：产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.6A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1423pF @ 25V 功率 - 60W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
MOS管 场效应 三极管IRF630NSPBF IRF630N IRF630PBF IRF630N
信息内容：数据列表 IRF630N 产品相片 D2PAK, TO-263 产品目录绘图 IR Hexfet D2PAK 标准包装 800类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 300 毫欧 @ 5.4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.3A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 575pF @ 25V 功率 - 82W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB 供应商设备封装 D2PAK 包装 带卷 (TR) "
