三极管 场效应 MOS管IRG4PSC71KD IRG4PSC71KDPBF IRG4PSC71
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRG4PSC71KD | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 开启电压： | *（V） | |
| 夹断电压： | *（V） | |
| 跨导： | *（μS） | |
| 极间电容： | *（pF） | |
| 低频噪声系数： | *（dB） | |
| 漏极电流： | *（mA） | |
| 耗散功率： | *（mW） |
数据列表 IRG4PSC71KD
产品相片 SUPER-247 Pkg
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 -
电压 - 集电极发射极击穿（） 600V
Vge, Ic时的Vce（开） 2.3V @ 15V, 60A
电流 - 集电极 (Ic)（） 85A
功率 - 350W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-274AA
供应商设备封装 SUPER-247 (TO-274AA)
包装 散装
其它名称 *IRG4PSC71KD
- 所属城市：广东 深圳
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MOS管 三极管 场效应 IRFZ46N IRFZ46NPbF IRFZ46NS IRFZ46
信息内容：数据列表 IRFZ46NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 16.5 毫欧 @ 28A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 53A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 72nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1696pF @ 25V 功率 - 107W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 "
MOS管 三极管 场效应IRFIB7N50A IRFIB7N50APBF IRFIB7N50
信息内容：产品相片 TO-220AB 产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1IR(L,F)I Series Side 2 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单路 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 4A, 10V 漏极至源极电压(Vdss) 500V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.6A Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 52nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1423pF @ 25V 功率 - 60W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 供应商设备封装 TO-220-3 包装 管件
