供应 IC 芯片IRFB31N20DPBF原装进口
| 价 格： | 4.00 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFB31N20DPBF | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 82 毫欧 @ 18A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2370pF @ 25V
功率 - 3.1W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFB31N20DPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
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供应 IC 芯片IRFP450PBF原装进口
信息内容：PDF文档链接：http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/67545/INTERSIL/IRFP450.html晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:14A电压, Vds 最??:500V在电阻RDS（上）:400mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:190W工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-247ACSVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功耗:190W封装类型:TO-247AC漏极电流, Id 值:14A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:500V电压, Vgs :20V表面安装器件:通孔安装
供应 IC 芯片IRFR3710Z原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 33A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2930pF @ 25V 功率 - 140W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件 其它名称 *IRFR3710ZPBF
