供应 IC 芯片IRFR3710Z原装进口
| 价 格： | 4.10 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRFR3710Z | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MIN/微型 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 33A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2930pF @ 25V
功率 - 140W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 管件
其它名称 *IRFR3710ZPBF
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 苏志远
- 电话：
- 传真：
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供应 IC 芯片FQPF6N60C原装进口
信息内容：类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.5A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 2.75A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 810pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F "
供应 IC 芯片IRF9540N原装进口
信息内容：晶体管极性:P通道电流, Id 连续:19A电压, Vds :100V在电阻RDS（上）:200mohm电压 @ Rds测量:-10V阈值电压, Vgs th 典型值:-4V功耗, Pd:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:150W功耗:150W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:-19A热阻, 结至外壳 A:1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V电压, Vds:100V电压, Vds 典型值:-100V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:72A表面安装器件:通孔安装
