价 格: | 4.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP450PBF | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | LLCC/无引线陶瓷片载 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
PDF文档链接:
http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/67545/INTERSIL/IRFP450.html
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss) 100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 42A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 33A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 100nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 2930pF @ 25V 功率 - 140W 安装类型 表面贴装 封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63 供应商设备封装 D-Pak 包装 管件 其它名称 *IRFR3710ZPBF
类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 QFET™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 600V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 5.5A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 2.75A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 810pF @ 25V 功率 - 40W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 TO-220F "