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供应 场效应管 AOT410L AOT410 T410

价 格: 面议
型号/规格:AOT410L AO TO-220 11NPB DIP/MOS N场 100 150 6.5mΩ
品牌/商标:AO
封装形式:TO-220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:单件包装
功率特征:

产品型号:AOT410L

源漏极间雪崩电压VBR(V):100

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065

漏极电流Id(on)(A):150

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150


描述:100 V, 150A 功率MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
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信息内容:

产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET

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信息内容:

产品型号:FTP08N06 源漏极间雪崩电压VBR(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 漏极电流Id(on)(A):-20 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TO-251 4/-55 ~150 描述:-30V,-20A 功率MOSFET

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