价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AOT410L AO TO-220 11NPB DIP/MOS N场 100 150 6.5mΩ | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | |
产品型号:AOT410L
源漏极间雪崩电压VBR(V):100
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065
漏极电流Id(on)(A):150
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150
描述:100 V, 150A 功率MOSFET
产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET
产品型号:FTP08N06 源漏极间雪崩电压VBR(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 漏极电流Id(on)(A):-20 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TO-251 4/-55 ~150 描述:-30V,-20A 功率MOSFET