价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AOD480 AO SOT-252 11NPB SMD/MOS N场 30 25 23mΩ | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOT-252 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | |
产品型号:AOD480
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023
漏极电流Id(on)(A):25
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 4/-55 ~150
描述:30 V, 25A 功率MOSFET
产品型号:AOD484
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.015
漏极电流Id(on)(A):25
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-252 4/-55 ~150
描述:30 V, 25A 功率MOSFET
产品型号:AOD609 源漏极间雪崩电压VBR(V):40/-40 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03 漏极电流Id(on)(A):12/-12 通道极性:N+P沟道 封装/温度(℃):SOT-252-5 4/-55 ~150 描述:40/-40V, 12/-12A 功率MOSFET
产品型号:AOT410L 源漏极间雪崩电压VBR(V):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 漏极电流Id(on)(A):150 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:100 V, 150A 功率MOSFET