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供应 N+P场效应管 AOD609 AOD606 D609 D606

价 格: 面议
型号/规格:AOD609 AO SOT-252 11NPB SMD/MOS N+P场 40/-40 12/-12 30mΩ
品牌/商标:AO
封装形式:SOT-252-5
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特征:

产品型号:AOD609

源漏极间雪崩电压VBR(V):40/-40

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03

漏极电流Id(on)(A):12/-12

通道极性:N+P沟道


封装/温度(℃):SOT-252-5 4/-55 ~150


描述:40/-40V, 12/-12A 功率MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
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信息内容:

产品型号:AOT410L 源漏极间雪崩电压VBR(V):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 漏极电流Id(on)(A):150 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:100 V, 150A 功率MOSFET

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信息内容:

产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET

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