价 格: | 面议 | |
型号/规格: | AOD609 AO SOT-252 11NPB SMD/MOS N+P场 40/-40 12/-12 30mΩ | |
品牌/商标: | AO | |
封装形式: | SOT-252-5 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特征: | |
产品型号:AOD609
源漏极间雪崩电压VBR(V):40/-40
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03
漏极电流Id(on)(A):12/-12
通道极性:N+P沟道
封装/温度(℃):SOT-252-5 4/-55 ~150
描述:40/-40V, 12/-12A 功率MOSFET
产品型号:AOT410L 源漏极间雪崩电压VBR(V):100 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0065 漏极电流Id(on)(A):150 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:100 V, 150A 功率MOSFET
产品型号AOT470 源漏极间雪崩电压VBR(V):75 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0105 漏极电流Id(on)(A):100 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:75 V, 100A 功率MOSFET 产品型号AOT460 源漏极间雪崩电压VBR(V):60 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0075 漏极电流Id(on)(A):85 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 4/-55 ~150 描述:60V, 85A 功率MOSFET