【华强实体店供应】贴片场效应管 IRF640S/640s/F640S
| 价 格： | 2.50 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格： | IRF640STRL | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 0V | |
| 开启电压： | 2-4V | |
| 漏极电流： | 18A |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V
功率 - 130W
封裝 散裝
閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3)
FET Feature Standard
其他名稱 IRF640S
IRF640S-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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【华强实体店供应】高压贴片场效应管 FQD5N60C/FQD5N60/5N60
信息内容：电流特性曲线(X:500mV; Y:200mA;VGS:1V): 因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。dzsc/18/8781/18878152.jpg耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/18/8781/18878152.jpg dzsc/18/8781/18878152.jpgdzsc/18/8781/18878152.jpgdzsc/18/8781/18878152.jpgMOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能 在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。 EAS，IAR和EAR的定义及测量 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：dzsc/18/8781/18878152.jpg (1)
供应MOS管 IRF634
信息内容：類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400毫歐姆@ 5.4A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 800pF @ 10V功率 - 74W封裝 散裝閘電流(Qg) @ Vgs 43nC @ 10V封裝/外殼 TO-220AB閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
