【华强实体店供应】高压贴片场效应管 FQD5N60C/FQD5N60/5N60
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQD5N60C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2-4（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 极间电容： | 515（pF） | |
| 漏极电流： | 2800（mA） | |
| 耗散功率： | 49000（mW） |
电流特性曲线(X:500mV; Y:200mA;VGS:1V):
因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。
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耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA):
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MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。
EAS，IAR和EAR的定义及测量
MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：
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供应MOS管 IRF634
信息内容：類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 200V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 400毫歐姆@ 5.4A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 800pF @ 10V功率 - 74W封裝 散裝閘電流(Qg) @ Vgs 43nC @ 10V封裝/外殼 TO-220AB閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
【华强实体店供应】电源用场效应管 FQPF5N60C/FQPF5N60/5N60
信息内容：电流特性曲线(X:500mV; Y:200mA;VGS:1V):因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。dzsc/18/8786/18878604.jpg 耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/18/8786/18878604.jpg 应用案例：15W LED驱动电源（如下图）dzsc/18/8786/18878604.jpgdzsc/18/8786/18878604.jpg 适配器（如下图）:dzsc/18/8786/18878604.jpgdzsc/18/8786/18878604.jpg 12W LED驱动电源（如下图）:dzsc/18/8786/18878604.jpg描述：產品相片 TO-220F Pkg標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 4.5A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5歐姆@ 2.25A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 670pF @ 25V功率 - 33W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V封裝/外殼 TO-220F其他名稱 FQPF5N60C FQPF5N60C-ND dzsc/18/8786/18878604.jpgdzsc/18/8786/18878604.jpgdzsc/18/8786/18878604.jpg 使用功率MOSFET管中的开关损耗详解
